探索传统存储器的发展史
继续罗彻斯特电子“70年代最受欢迎的半导体”主题，本期分享的内容是商用DRAM 1103。
存储器种类繁多，其中DRAM(动态随机存取存储器)的引进对电子系统和产品有着深远影响。1968年，IBM的Robert H. Dennard博士获得了第一个单晶体管DRAM单元的专利，随之而来的是DRAM概念的商业化。
1969年，霍尼韦尔提出了三晶体管动态存储单元设计来存储数据，并寻求半导体厂商合作将其商业化量产。
最初通过PMOS技术达到可接受的良率。在这之后，一项关键的额外设计变更——埋层接触孔(buried contacts)显着提高了良率，并实现了更小尺寸的晶体管结构。此外，性能提高到每两毫秒可进行32次读取操作随着晶圆设计的迭代，产量有所提高。最终，英特尔在1970年推出了1103 DRAM(容量为1KB，即1024Bytes)。
在此之前，磁芯存储器一直被广泛应用。材料和组装时间非常密集，而且体积庞大的磁芯存储器很快被更便宜的DRAM所取代。到1972年，1103 DRAM成为全球最畅销的半导体。该设计被交互授权给其它半导体制造商，使其成为首批可用的存储器“标准”之一。
1985年，英特尔宣布放弃DRAM市场，DRAM的供应由日本厂商主导，然后是海力士和三星等韩国供应商。 如今，DRAM在市场上的普遍应用意味着供应和定价像普通商品一样被驱动，而不是传统的买卖双方协定模式。
希望您喜欢本期经典回顾。
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罗彻斯特电子拥有超过1.35亿片存储器，覆盖来自众多知名制造商的10000多种产品型号，产品均采用行业标准封装，包括易失性存储器和非易失性存储器。
引文：Bellis, Mary. "Who Invented the Intel 1103 DRAM Chip?" ThoughtCo，2020年8月27日，thoughtco.com/who-invented-the-intel-1103-dram-chip-4078677
1103 DRAM image ©Thomas Nguyen - Own work, CC BY-SA 4.0, https://commons.wikimedia.org/w/index.php?curid=49532861