FF6MR12W2M1B11BOMA1
符合RoHS标准
无铅
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产品规格
| 产品型号 | FF6MR12W2M1B11BOMA1 |
| 描述 | Power Field-Effect Transistor, 200A I(D), 1200V, 0.00563ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET |
| RoHS | YES |
| 生命周期状态 | Obsolete |
| 产品类型 | IGBT Module |
| 产品系列 | Discretes |
| 基本产品型号 | FF6MR12W2M1_B11 |
| 海关编码 | 8541.29.0055 |
| 产品组别 | Transistor |
| 产品类别 | IGBT Module |
| 封装 | AG-EASY2BM-2 |
| 包装类型 | Tray |
| 无铅 | YES |
| 欧盟RoHS | YES |
| 制造商 | Infineon |
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定价
| 数量 | 单价 |
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