BLF878112
符合RoHS标准
无铅
具体产品图片请参见产品数据表
| 产品型号 | BLF878112 |
| 描述 | RF Power Field-Effect Transistor, 2-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
| RoHS | YES |
| 生命周期状态 | Obsolete |
| 产品类型 | RF Transistors |
| 产品系列 | Discretes |
| 基本产品型号 | BLF878 |
| 海关编码 | 8541.29.0075 |
| 产品组别 | Transistor |
| 产品类别 | RF Transistors |
| 封装 | SOT979A |
| 包装类型 | Tray |
| 无铅 | YES |
| 欧盟RoHS | YES |
| 制造商 | NXP Semiconductors |
购买
定价
| 数量 | 单价 |
|---|---|
| 1 – 24 | ¥1,477.292391 |
| 25 – 99 | ¥1,432.946817 |
| 100 – 499 | ¥1,388.682462 |
| 500 – 999 | ¥1,344.336888 |
| 1000+ | ¥1,299.991314 |